RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
59
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
59
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2181
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link