RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3537
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link