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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
42
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2889
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
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