RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
10.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2688
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link