Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Unterschiede

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 18.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,404.5 left arrow 14.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 104
    Rund um -420% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    104 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,192.0 left arrow 18.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,404.5 left arrow 14.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    786 left arrow 3022
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche