RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
104
Rund um -316% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2871
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link