RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
104
Rund um -352% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
19.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
4322
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link