RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
75
76
Rund um 1% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
2,072.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
6.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
1624
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link