RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
65
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,574.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,858.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,574.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
607
2801
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link