RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
74
Rund um -80% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2501
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link