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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
1,865.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
74
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
74
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
4,423.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
1,865.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
607
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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