Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs AMD R948G3206U2S 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote
star star star star star
AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 18.5
    Durchschnittswert bei den Tests
AMD R948G3206U2S 8GB Gründe für die Berücksichtigung
AMD R948G3206U2S 8GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    36 left arrow 73
    Rund um -103% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 1,423.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 5300
    Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,510.5 left arrow 18.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,423.3 left arrow 12.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    476 left arrow 3320
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche