RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
73
Rund um -204% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2858
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Nanya Technology NT16GC72C4NB0NL-CG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GE3.AFF0C 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link