Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 17.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 73
    Rund um -143% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 1,423.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    73 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,510.5 left arrow 17.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,423.3 left arrow 13.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    476 left arrow 3473
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RAM 1
RAM 2

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