RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
73
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
9.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2243
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965426-079.A00LF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link