RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
73
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
14.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3027
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
INTENSO M418039 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link