RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
73
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2717
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link