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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
69
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
14.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3429
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX12GX3M3A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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