Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Gesamtnote
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB

Unterschiede

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16.3
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 66
    Rund um -120% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.4 left arrow 1,906.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    66 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,323.0 left arrow 16.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,906.1 left arrow 11.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    703 left arrow 2953
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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