RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
39
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
14.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2987
3177
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Inmos + 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link