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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
38
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2585
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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