RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
78
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2087
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link