RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3413
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link