RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3555
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link