RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
45
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2336
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link