RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3179
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link