RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3187
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link