RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
45
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2744
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link