RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2709
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link