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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
67
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
6.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
3.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
44
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.0
6.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
3.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2069
1076
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