RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
64
Rund um 30% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2107
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link