RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2286
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link