RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2790
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link