RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
48
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2505
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link