RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
72
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
72
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
1728
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link