RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
61
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1420
2113
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link