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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
47
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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