RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
47
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1413
2783
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link