RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
41
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2016
2126
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link