RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3198
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link