RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
40
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3013
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link