Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Gesamtnote
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB

Unterschiede

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 36
    Rund um 19% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.2 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 8500
    Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 36
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 8.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.2 left arrow 5.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1207 left arrow 1435
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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