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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
49
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1348
2374
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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