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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
57
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
7.6
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
2170
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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