RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2976
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link