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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
37
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.8
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3964
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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