RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
7.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2200
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link