RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
99
Rund um 63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
99
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
6.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
1358
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link