SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 37
    Rund um -23% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 14.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 10.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 17000
    Rund um 1.38 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.7 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    10.6 left arrow 12.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2438 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche