RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3044
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link